ddr2和ddr3的区别 DDR3速度更快更节能
现在的电脑内存主要是DDR3内存了,DDR2内存几乎被淘汰光了。目前我们使用的电脑内存主流都是DDR3内存,DDR4内存已经处于研发阶段,目前已经成功,预测2014年全面量产取代DDR3内存,今天有网友问了DDR2和DDR3的区别是什么?为什么现在DDR2内存比DDR3还贵,哪个好?如果我们对比DDR3与DDR2内存参数我们很显然可以发现目前主流的DDR3内存更好,DDR2只是上一代产品。目前新生产的主板也都是支持DDR3内存,DDR2内存只适合一些早一两年的老电脑主板当中使用。
那么为什么DDR2内存性能不如DDR3,价格却更贵呢?两者有什么区别呢?下面我们围绕这些电脑爱好者比较迷惑的问题与大家做个简单的介绍,首先需要说明的是DDR2内存价格比DDR3还贵并不是DDR2内存速度比DDR3好,而是DDR2内存当前已经淘汰,厂商早已停产,能买到的也几乎是以前的少量库存,因为货少,价格才贵,物以稀为贵嘛。最后再来看看DDR2与DDR3内存的区别。
DDR2和DDR3的区别
DDR2与DDR3内存卡槽位置对比
目前,DDR2与DDR3是最主流的两种内存规格,其工作频率为400MHz-1000MHz,由于采用双倍数据速率(Double Data Rate)技术,所以DDR2内存的有效频率为800MHz,最高可达到DDR2-1066甚至DDR2-1200,DDR3内存甚至可达到2133以上的频率。除了工作频率外,内存另一个重要的参数就是时序,这也是不同品牌和产品之间的差异。时序表示内存完成一项工作所需要的时间周期,时间越长,则表示执行效率越低。
1,防呆缺口
DDR内存单面金手指针脚数量为92个(双面184个),缺口左边为52个针脚,制品右边为40个针脚;
DDR2内存单面金手指120个(双面240个),缺口左边为64个针脚,缺口右边为56个针脚;
DDR3内存单面金手指也是120个(双面240个),缺口左边为72个针脚电脑组装www.pc0.com,缺口右边为48个针脚.
2,DDR内存的颗粒为长方形
DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一
3,使用电压不同
DDR2的电压1.8V
DDR3的电压1.5V
DDR2 DDR3电压不同
DDR DDR2 DDR3缺口长度区别
内存DDR2和DDR3的区别之参数不同之处,见下面表格 :
参数 | DDR | DDR2 | DDR3 |
电压 VDD/VDDQ | 2.5V/2.5V | 1.8V/1.8V(±0.1) | 1.5V/1.5V(±0.075) |
I/O接口 | SSTL_25 | SSTL_18 | SSTL_15 |
数据传输率(Mbps) | 200~400 | 400~800 | 800~2000 |
容量标准 | 64M~1G | 256M~4G | 512M~8G |
Memory Latency(ns) | 15~20 | 10~20 | 10~15 |
CL值 | 1.5/2/2.5/3 | 3/4/5/6 | 5/6/7/8 |
预取设计(Bit) | 2 | 4 | 8 |
逻辑Bank数量 | 2/4 | 4/8 | 8/16 |
突发长度 | 2/4/8 | 4/8 | 8 |
封装 | TSOP | FBGA | FBGA |
引脚标准 | 184Pin | 240Pin | 240Pin |
上表为大家对比的是目前标准DDR2与DDR3内存参数对比,通过对比我们可以发现,在主频方面,DDR3内存是2000MHz明显高于DDR2的800MHz的主频,另外在时序方面DDR3内存也优秀于DDR2内存,还有一个方面就是功耗方面,DDR3工作电压为1.5v低于DDR2的工作电压,也就是说DDR3内存速度全面优秀于上一代DDR2内存,并且耗电更少。
DDR2与DDR3内存的区别还有不少,比如单条内存DDR3内存可以做的更大容量等,我们主要知道DDR3是DDR2的升级版本,其性能不管是速度还是功耗都明显优秀于上一代DDR2产品。
参考文章:该内存不能为read 或written的解决方法!
DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4GB这个容量,4GB是32位操作系统的执行上限(不考虑PAE等等的内存映像模式,因这些32位元元延伸模式只是过渡方式,会降低效能,不会在零售市场成为技术主流)当市场需求超过4GB的时候,64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案,此时也就是DDR3内存的普及时期。
DDR2与DDR3内存的特性区别:
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL,Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8电脑零学网,从零学起,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
扩展阅读:内存常见故障分析及解决方法
与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbuffered DIMM):
1.速度更快:prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit,核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。
2.更省电:DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V,同频率下比DDR2更省电,搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能,内部增加温度senser,可依温度动态控制更新率(RASR,Partial Array Self-Refresh功能),达到省电目的。
3.容量更大:更多的Bank数量,依照JEDEC标准,DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB),但目前许多DRAM厂商的规划,DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量,也就是说届时单条DDR2的DRAM模块,容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳,目前规划单条模块到16GB也没问题。
[Tag]:ddr2和ddr3的区别
[本页地址]: